[23a-A205-1~13] 10.2 スピン基盤技術・萌芽的デバイス技術

△ [23a-A205-6] 反強磁性体中のスカーミオンを用いた論理ゲートの提案

〇成瀬 貴彦¹、近藤 憲治¹ (1.北大電子研)

キーワード：スカーミオン、反強磁性体、スピントロニクス

我々は反強磁性体のスカーミオンを用いた論理ゲートを考案し、その動作をLLG方程式を用いて、数値計算することで調べた。ANDゲート、ORゲート、NOTゲートについて動作を調べ、考案した論理ゲートが、それぞれANDゲート、ORゲート、NOTゲートとして動作していることを確認した。また三次元有限要素法による数値計算を用いて、一つの論理ゲートの出力を、別の論理ゲートの入力に移す方法についても議論する。