2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[23a-A401-1~6] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2022年9月23日(金) 10:00 〜 11:30 A401 (A401)

重里 有三(青学大)

10:15 〜 10:30

[23a-A401-2] 酸化タングステンナノロッド内部でのヘテロ接合形成と酸化還元面制御

〇(M1)内田 涼太1、伊藤 皇聖1、野田 啓1 (1.慶應大理)

キーワード:光触媒、酸化タングステン

可視光応答型光触媒材料である酸化タングステン(WO3)を、構造規定剤(シュウ酸)を用いた水熱合成によってナノロッド(NR)状に作製し、その形状や結晶相制御を実施した。合成されたWO3NRは六方晶と三斜晶の混合物であり、シュウ酸滴下濃度に応じて混合割合が変化することが確認された。さらに、二つの結晶相は単一ナノロッド内で空間的に分離して形成され、その比率によって光触媒反応の酸化還元面が入れ替わることが確認された。