[23a-B202-1~12] 17.2 Graphene

[23a-B202-10] Hetero growth of graphene deposited to h-BN/SiC surfaces

〇Roki Kohama¹, Kazuki Yonekubo¹, Hideaki Sugino¹, Issei Watanabe², Hiroki Sugawara¹, Chao Tang¹, Akira Satou¹, Taiichi Otsuji¹, Hirokazu Fukidome¹ (1.RIEC Tohoku Univ., 2.NICT)

Keywords:graphene, h-BN

グラフェンは高いキャリア移動度とキャリア飽和速度をもち，かつ低環境負荷であることから，持続可能開発目標(SDGs)に資する次世代デバイス材料である．また，絶縁性2次元結晶である六方晶窒化ホウ素(h-BN)上のグラフェンは，キャリア移動度が向上する．h-BNへのグラフェン積層は，多くは転写法により形成されてきた．それに対し，我々は，ヘテロ成長によってh-BNへのグラフェンの成長に成功した．