[23a-B202-1~12] 17.2 グラフェン

[23a-B202-10] SiC表面におけるh-BNへのグラフェンヘテロ成長

〇小濱 路生¹、米窪 和輝¹、杉野 秀明¹、渡邊 一世²、菅原 大樹¹、唐 超¹、佐藤 昭¹、尾辻 泰一¹、吹留 博一¹ (1.東北大通研、2.情通機構)

キーワード：グラフェン、h-BN

グラフェンは高いキャリア移動度とキャリア飽和速度をもち，かつ低環境負荷であることから，持続可能開発目標(SDGs)に資する次世代デバイス材料である．また，絶縁性2次元結晶である六方晶窒化ホウ素(h-BN)上のグラフェンは，キャリア移動度が向上する．h-BNへのグラフェン積層は，多くは転写法により形成されてきた．それに対し，我々は，ヘテロ成長によってh-BNへのグラフェンの成長に成功した．