[23a-B204-1~11] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[23a-B204-11] 多端子ホール測定および高周波測定によるオーミック金属下AlGaN/GaNヘテロ構造空乏層幅の解析

〇瓜生 和也^1,2、鈴木 寿一¹ (1.北陸先端大、2.アドバンテスト研)

キーワード：AlGaN/GaNヘテロ構造、オーミックコンタクト、多端子ホール測定

我々は, 多端子ホール素子を用いてオーミック金属下AlGaN/GaN ヘテロ構造の電気的特性を評価し, シート電子密度が大きく増加していることを見出した. このことは, オーミック金属下AlGaN/GaN ヘテロ構造の空乏層幅が短くなっていることを示唆している. 本報告では多端子ホール測定およびフローティングコンタクトの高周波測定により, オーミック金属下AlGaN/GaN ヘテロ構造の空乏層幅を解析した.