[23a-B204-1~11] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

[23a-B204-4] Evaluation of electrical characteristics of AlGaN/GaN HEMTs on semi-insulating GaN substrates doped with Fe, C or Mn at room temperature

〇Daiki Tanaka¹, Kenji Iso^2,3, Akinori Miura^2,3, Yuji Ando^1,3, Jun Suda^1,3 (1.Nagoya Univ., 2.Mitsubishi Chemical, 3.Nagoya Univ. IMaSS)

Keywords:GaN, AlGaN/GaN HEMT, GaN Substrate

AlGaN/GaN 高電子移動度トランジスタ（HEMT）の更なる高性能化に向け，GaN基板上GaN-HEMTの開発に取り組んでいる．通常HEMT には絶縁性基板が用いられ，GaN基板の場合は深いアクセプタ準位による補償を用いて半絶縁性を実現する．補償準位を形成するドーパントとしてFe，C，Mn などの報告があるが，CやMnドープ基板上にHEMTを作製した報告はほとんどない．本研究では，Fe，CまたはMnドープGaN基板上にHEMTを作製し，室温における電気的特性を評価した．