[23a-B204-1~11] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[23a-B204-6] N極性面AlGaN/AlNヘテロ接合型FETの性能改善

〇稲原 大輔¹、松田 駿佑¹、松村 航¹、奥野 椋¹、花咲 光基¹、小脇 岳士¹、宮本 弥凪¹、金崎 蓮¹、齊藤 俊介¹、藤井 開¹、倉井 聡¹、岡田 成仁¹、姚 永昭²、石川 由加里²、田中 敦之³、新田 州吾³、本田 善央³、天野 浩³、山田 陽一¹ (1.山口大院・創成科学、2.ファインセラミックスセンター、3.名古屋大学未来材料・システム研究所)

キーワード：Ⅲ-Ⅴ族窒化物半導体、電子デバイス、ヘテロ接合FET

N極性AlGaN/AlN構造は、従来の金属極性AlGaN/GaN電子デバイスより高耐圧、高温動作などの様々な利点を有している。そこで我々はN極性面AlGaN/AlNの結晶成長に取り組んできた。本発表では、AlGaN/AlN ヘテロ接合型FET(HFET)の作製におけるN極性面特有の半導体プロセスに必要な要素技術について検討した。また、I_DSの向上を目的とし、N極性面AlGaN/AlN HFETの最表面AlGaNにSiをドープしてHFETを作製し、性能評価を行ったので報告する。