10:15 AM - 10:30 AM
[23a-B204-6] Improvement of performance of N-Polar AlGaN/AlN Heterojunction FET
Keywords:Group III-V nitride semiconductors, electronic device, hetero junction FET
N極性AlGaN/AlN構造は、従来の金属極性AlGaN/GaN電子デバイスより高耐圧、高温動作などの様々な利点を有している。そこで我々はN極性面AlGaN/AlNの結晶成長に取り組んできた。本発表では、AlGaN/AlN ヘテロ接合型FET(HFET)の作製におけるN極性面特有の半導体プロセスに必要な要素技術について検討した。また、IDSの向上を目的とし、N極性面AlGaN/AlN HFETの最表面AlGaNにSiをドープしてHFETを作製し、性能評価を行ったので報告する。