[23a-B204-1~11] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

[23a-B204-6] Improvement of performance of N-Polar AlGaN/AlN Heterojunction FET

〇Daisuke Inahara¹, Shunsuke Matuda¹, Wataru Matsumura¹, Ryo Okuno¹, Koki Hanasaku¹, Taketo Kowaki¹, Minagi Miyamoto¹, Ren Kanezaki¹, Shunsuke Saito¹, Kai Fujii¹, Satoshi Kurai¹, Narihito Okada¹, Yongzhao Yao², Yukari Ishikawa², Atsushi Tanaka³, Shugo Nitta³, Yoshio Honda³, Hiroshi Amano³, Yoichi Yamada¹ (1.Grad. School of Sci. & Tech. for Innovation, Yamaguchi Univ, 2.JFCC, 3.Nagoya Univ., IMaSS)

Keywords:Group III-V nitride semiconductors, electronic device, hetero junction FET

N極性AlGaN/AlN構造は、従来の金属極性AlGaN/GaN電子デバイスより高耐圧、高温動作などの様々な利点を有している。そこで我々はN極性面AlGaN/AlNの結晶成長に取り組んできた。本発表では、AlGaN/AlN ヘテロ接合型FET(HFET)の作製におけるN極性面特有の半導体プロセスに必要な要素技術について検討した。また、I_DSの向上を目的とし、N極性面AlGaN/AlN HFETの最表面AlGaNにSiをドープしてHFETを作製し、性能評価を行ったので報告する。