[23a-C102-1~8] 22.1 Joint Session M "Phonon Engineering"

△ [23a-C102-2] Development of high efficiency thermal switching devices with phase transition

〇(M2)Tomoya Maruchi¹, Keisuke Hirata¹, Masaharu Matsunami¹, Tsunehiro Takeuchi¹ (1.TTI)

Keywords:heat flow switching device, phase transition

我々は，120℃付近に相変態を示すAg₂S系材料において，潜熱を起源とする熱伝導度の顕著な増大を発見した．本研究では，この現象を用いた熱流スイッチング素子の高性能化に取り組んだ．比熱の温度依存性から，相変態に伴う潜熱とエントロピーの変化を定量的に見積もり，最も良い熱流スイッチング特性を示す条件を探索した．