[23a-C106-1~8] 12.2 Characterization and Materials Physics

[23a-C106-8] Increased mobility in organic single crystal transistors by introduction of a strain in a plane substrate

〇Mizuki Abe¹, Tomoki Furukawa¹, Yu Yamashita^1,2, Naotaka Kasuya¹, Shohei Kumagai¹, Shun Watanabe^1,3, Jun Takeya^1,2,3 (1.Univ. of Tokyo, 2.NIMS, 3.JST CREST)

Keywords:organic semiconductor, organic transistors, lattice strain

有機半導体単結晶の電子輸送特性は応力印加に対して巨大な応答性を示し、キャリア移動度が上昇することが知られている。一方で、格子歪みの導入に伴う移動度上昇によって応用デバイスの特性を向上させる研究は行われてこなかった。本研究では電界効果トランジスタにおけるキャリア移動度、および、XRD測定による歪み量の評価を実施しながら、この課題に取り組んだ。