09:30 〜 11:30
[23a-P06-10] MOCVD法によるZnO/ZnO:Ga超格子の作製
キーワード:蛍光体
MOCVDを使用して蛍光体材料として単結晶サファイアa面基板上にアンドープZnO層とGaドープZnO層の順番で成長し、ZnO/ZnO:Ga超格子構造を作製した。
一般セッション(ポスター講演)
21 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」 » 21 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」(ポスター)
2022年9月23日(金) 09:30 〜 11:30 P06 (体育館)
09:30 〜 11:30
キーワード:蛍光体