The 83rd JSAP Autumn Meeting 2022

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21 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices" » 21 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"(Poster)

[23a-P06-1~28] 21 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"(Poster)

Fri. Sep 23, 2022 9:30 AM - 11:30 AM P06 (Arena)

9:30 AM - 11:30 AM

[23a-P06-14] Work function measurement for InGaZnO thin films with different atomic ratio using photoelectron yield spectroscopy in air

Yuta Watanabe1, Toshiki Nakanowatari1, Yoshiaki Hattori1, Masatoshi Kitamura1 (1.Kobe Univ.)

Keywords:InGaZnO, In5GaZnO10, photoelectron yield spectroscopy in air

近年,InGaZnOを半導体層に用いた薄膜トランジスタは,フラットパネルディスプレイに応用され、注目されている.このように注目を集めるInGaZnOであるが,単結晶Siに比べるとそのエネルギーバンド構造については明らかでない点もある.本研究では,AlTi合金上のInGaZnO4薄膜とIn5GaZnO10薄膜について,大気中光電子収量分光法により得られたスペクトルより仕事関数を求め,比較したのでそれについて報告する.