[23a-P06-1~28] 21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」(ポスター)

[23a-P06-14] 大気中光電子収量分光法による原子比率の異なるInGaZnO薄膜の仕事関数評価

〇渡邉 悠太¹、中野渡 俊喜¹、服部 吉晃¹、北村 雅季¹ (1.神戸大院工)

キーワード：InGaZnO、In5GaZnO10、大気中光電子収量分光法

近年，InGaZnOを半導体層に用いた薄膜トランジスタは，フラットパネルディスプレイに応用され、注目されている．このように注目を集めるInGaZnOであるが，単結晶Siに比べるとそのエネルギーバンド構造については明らかでない点もある．本研究では，AlTi合金上のInGaZnO₄薄膜とIn₅GaZnO₁₀薄膜について，大気中光電子収量分光法により得られたスペクトルより仕事関数を求め，比較したのでそれについて報告する．