[23a-P06-1~28] 21 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"(Poster)

[23a-P06-15] Sol-gel process and characterization of polycrystalline ZnGa₂O₄ films

〇(B)Kouhei Aiba¹, Kazutoshi Fukasaku¹, Takayuki Nakane², Yasuharu Ohgoe¹, Takashi Naka², Satoshi Ishii¹ (1.Tokyo Denki Univ., 2.NIMS)

Keywords:ZnGa2O4, polycrystalline films, sol-gel process

ZnGa₂O₄多結晶膜をゾル－ゲル法を用いて合成石英ガラス基板の表面に作製し、構造と発光特性を評価した。その結果、熱処理温度が600 ℃以上で多結晶膜が形成され、PLスペクトルの500 nmと700 nm付近にピークを観測した。700 nm付近の赤色領域のピークは温度上昇に伴い500 nm付近のピークに対して大きくなった。一方でGa/Zn比は減少したことからGa欠損に起因して赤色の発光中心が増加したと考えられる。