[23a-P06-1~28] 21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」(ポスター)

[23a-P06-15] 多結晶ZnGa₂O₄膜のゾル－ゲル法による作製と評価

〇(B)相場 康平¹、深作 和寿¹、中根 茂行²、大越 康晴¹、名嘉 節²、石井 聡¹ (1.電機大理工、2.物材機構)

キーワード：ZnGa2O4、多結晶膜、ゾル－ゲル法

ZnGa₂O₄多結晶膜をゾル－ゲル法を用いて合成石英ガラス基板の表面に作製し、構造と発光特性を評価した。その結果、熱処理温度が600 ℃以上で多結晶膜が形成され、PLスペクトルの500 nmと700 nm付近にピークを観測した。700 nm付近の赤色領域のピークは温度上昇に伴い500 nm付近のピークに対して大きくなった。一方でGa/Zn比は減少したことからGa欠損に起因して赤色の発光中心が増加したと考えられる。