[23a-P06-1~28] 21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」(ポスター)

[23a-P06-22] 無加熱成膜によるスパッタCu₂O薄膜の配向制御

〇(M2)吉田 朱里¹、阿部 秀悟¹、舟木 啓真¹、山田 容士¹、舩木 修平¹ (1.島根大自然)

キーワード：Cu2O、半導体、薄膜

Cu₂Oはバンドギャップ2.1 eVの透明な直接遷移型半導体であり、太陽電池材料として注目されている。スパッタリング法では、膜へのCuやCuO等の異相の混入を防ぐため、高温での成膜と緻密な酸素流量の制御が必要である。我々はCu₂OにCuを混合した粉末ターゲットを用いることで、加熱及び、酸素制御を行うことなくCu₂O単相膜が得られることを見出した。本研究では、Cu添加量及びスパッタ圧力に伴う結晶相及び配向の変化を報告する。