[23a-P06-1~28] 21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」(ポスター)

[23a-P06-24] In₅GaZnO₁₀薄膜トランジスタの特性評価

〇中野渡 俊喜¹、渡邉 悠太¹、服部 吉晃¹、北村 雅季¹ (1.神戸大院工)

キーワード：InGaZnO、In5GaZnO10、薄膜トランジスタ

近年，薄膜トランジスタ(TFT)の半導体材料としてアモルファスシリコン(a-Si)やポリシリコン(poly Si)に代わりInGaZnOが注目されており，InGaZnOをチャネル層とするTFTがフラットパネルディスプレイですでに使用されている．最近では，原子層堆積法によるIn比率が高いInGaZnOで，高い電界効果移動度が報告されている．そこで，本研究では，スパッタリングによるIn₅GaZnO₁₀をチャネル層に用いたTFTの特性を調べたのでそれについて報告する．