[23a-P06-1~28] 21 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"(Poster)

[23a-P06-4] Analysis on structural change of Ga₂O₃ film grown on ScAlMgO₄ substrate by annealing

〇Syuhei Yamashita¹, Yuichi Wada¹, Hitoshi Takane¹, Yuto Yamafuji¹, Junjiro Kikawa¹, Makoto Matsukura⁴, Takahiro Kojima⁴, Takashi Shinohe⁵, Momoko Deura², Kentaro Kaneko³, Tsutomu Araki¹ (1.Ritsumeikan Univ., 2.R-GIRO, 3.Kyoto Univ., 4.OXIDE Co., 5.FLOSFIA Inc.)

Keywords:semiconductor, Ga2O3, SAM substrate

Ga₂O₃の熱伝導率が極めて小さいという課題に対し、強いc面劈開性を持つScAlMgO₄基板上に成長すれば基板を容易に剥離でき、放熱の問題を改善することができる。前回我々は、ミストCVD法を用いてSAM基板上にε-Ga₂O₃が成長すること、アニールによってε相がβ相に転移することを示した。そこで今回は、アニール前後での結晶構造の変化を明らかにするため、得られたGa₂O₃薄膜の極微構造評価を行った。