9:30 AM - 11:30 AM
[23a-P06-4] Analysis on structural change of Ga2O3 film grown on ScAlMgO4 substrate by annealing
Keywords:semiconductor, Ga2O3, SAM substrate
Ga2O3の熱伝導率が極めて小さいという課題に対し、強いc面劈開性を持つScAlMgO4基板上に成長すれば基板を容易に剥離でき、放熱の問題を改善することができる。前回我々は、ミストCVD法を用いてSAM基板上にε-Ga2O3が成長すること、アニールによってε相がβ相に転移することを示した。そこで今回は、アニール前後での結晶構造の変化を明らかにするため、得られたGa2O3薄膜の極微構造評価を行った。