The 83rd JSAP Autumn Meeting 2022

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21 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices" » 21 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"(Poster)

[23a-P06-1~28] 21 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"(Poster)

Fri. Sep 23, 2022 9:30 AM - 11:30 AM P06 (Arena)

9:30 AM - 11:30 AM

[23a-P06-4] Analysis on structural change of Ga2O3 film grown on ScAlMgO4 substrate by annealing

Syuhei Yamashita1, Yuichi Wada1, Hitoshi Takane1, Yuto Yamafuji1, Junjiro Kikawa1, Makoto Matsukura4, Takahiro Kojima4, Takashi Shinohe5, Momoko Deura2, Kentaro Kaneko3, Tsutomu Araki1 (1.Ritsumeikan Univ., 2.R-GIRO, 3.Kyoto Univ., 4.OXIDE Co., 5.FLOSFIA Inc.)

Keywords:semiconductor, Ga2O3, SAM substrate

Ga2O3の熱伝導率が極めて小さいという課題に対し、強いc面劈開性を持つScAlMgO4基板上に成長すれば基板を容易に剥離でき、放熱の問題を改善することができる。前回我々は、ミストCVD法を用いてSAM基板上にε-Ga2O3が成長すること、アニールによってε相がβ相に転移することを示した。そこで今回は、アニール前後での結晶構造の変化を明らかにするため、得られたGa2O3薄膜の極微構造評価を行った。