[23a-P06-1~28] 21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」(ポスター)

[23a-P06-4] ScAlMgO₄基板上Ga₂O₃薄膜のアニールによる結晶構造変化の解析

〇山下 修平¹、和田 邑一¹、高根 倫史¹、山藤 祐人¹、城川 潤二郎¹、松倉 誠⁴、小島 孝広⁴、四戸 孝⁵、出浦 桃子²、金子 健太郎³、荒木 努¹ (1.立命館大理工、2.R-GIRO、3.京大、4.(株)オキサイド、5.(株)FLOSFIA)

キーワード：半導体、酸化ガリウム、SAM基板

Ga₂O₃の熱伝導率が極めて小さいという課題に対し、強いc面劈開性を持つScAlMgO₄基板上に成長すれば基板を容易に剥離でき、放熱の問題を改善することができる。前回我々は、ミストCVD法を用いてSAM基板上にε-Ga₂O₃が成長すること、アニールによってε相がβ相に転移することを示した。そこで今回は、アニール前後での結晶構造の変化を明らかにするため、得られたGa₂O₃薄膜の極微構造評価を行った。