[23a-P06-1~28] 21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」(ポスター)

[23a-P06-7] スパッタエピタキシー法による(ZnO)_x(InN)_1-x単結晶薄膜の室温成膜

〇成重 椋太¹、山下 尚人¹、鎌滝 晋礼¹、奥村 賢直¹、古閑 一憲¹、白谷 正治¹、板垣 奈穂¹ (1.九大シス情)

キーワード：ZION、ZnO、スパッタリング