[23a-P06-1~28] 21 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"(Poster)

[23a-P06-8] Growth of single-crystaline ZnO layer by sputter epitaxy method(Ⅳ)

〇Ryota Misawa¹, Hyuga Kimura¹, Keisuke Yoshida¹, Hiroyuki Shinoda¹, Nobuki Mutsukura¹ (1.Tpkyo Denki Univ)

Keywords:ZnO, zinc oxide, sputter

我々は，UHVスパッタエピタキシー法を用いてZnO層の成長を行っている．前回，基板温度900℃の高温領域にてオフ角0.02°と0.2°のα-Al₂O₃ (0001)基板上にZnO層を成長した結果について報告した．XRD パターンにおいて，オフ角0.02°ではピーク分離が見られたが，0.2°では単一のピークであった．また，オフ角0.02°においては，ZnO層の膜厚を増加することで単一のピークとなった．今回は，0.2°のオフ角基板を用いた際の膜厚依存性について検討を行ったので報告する．