[23a-P06-1~28] 21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」(ポスター)

[23a-P06-8] スパッタエピタキシー法によるZnO単結晶層の成長（Ⅳ）

〇三澤 亮太¹、木村 日向¹、吉田 圭佑¹、篠田 宏之¹、六倉 信喜¹ (1.東京電機大工)

キーワード：ZnO、酸化亜鉛、スパッタ

我々は，UHVスパッタエピタキシー法を用いてZnO層の成長を行っている．前回，基板温度900℃の高温領域にてオフ角0.02°と0.2°のα-Al₂O₃ (0001)基板上にZnO層を成長した結果について報告した．XRD パターンにおいて，オフ角0.02°ではピーク分離が見られたが，0.2°では単一のピークであった．また，オフ角0.02°においては，ZnO層の膜厚を増加することで単一のピークとなった．今回は，0.2°のオフ角基板を用いた際の膜厚依存性について検討を行ったので報告する．