[23p-A202-1~16] 6.2 カーボン系薄膜

△ [23p-A202-2] NV量子センサ高感度化のためのtert-butylphosphineを用いたn型ダイヤモンド合成

〇(M2)川瀬 凜久¹、川島 宏幸^1,2、加藤 宙光²、徳田 規夫³、窪田 幹大¹、小倉 政彦²、牧野 俊晴²、水落 憲和^1,4 (1.京大化研、2.産総研、3.金沢大、4.京大CSRN)

キーワード：ダイヤモンド、NV中心、n型

従来、CVD法によるダイヤモンドへのリンドーピングでは、毒性及び爆発性が高いホスフィンが用いられてきた。本研究ではホスフィンと比較して格段に爆発性・毒性が低いターシャリーブチルホスフィンを用いてn型ダイヤモンドをCVD法で合成し、ホスフィンを用いた場合に匹敵する長時間T₂・n型伝導性・NV中心の完全な配向性といった特性が得られることを確認した。