[23p-B203-1~13] 17.3 層状物質

[23p-B203-1] トポロジカルジョセフソン接合形成に向けた単層WTe₂/超伝導デバイスのゲート効果

〇細田 雅之^1,2、ディーコン ラッセル¹、ランドル マイケル¹、岡崎 尚太³、笹川 崇男³、谷口 尚⁴、渡邊 賢司⁴、大伴 真名歩²、河口 研一²、佐藤 信太郎²、石橋 幸治¹ (1.理研、2.富士通、3.東工大、4.物材機構)

キーワード：WTe2、電界効果、遷移金属カルコゲナイド

2次元トポロジカル絶縁体(2DTI)である単層WTe₂は、超伝導体との接合によってマヨラナ準粒子が発現する系になり得るとの理論予測から、ロバストな量子計算に向けたトポロジカル量子ビットの候補材料として期待されている。超伝導体/単層WTe₂/超伝導体構造はマヨラナ準粒子に有効な系と考えられるが、その実現には、接合界面に形成されるトンネル障壁をいかに抑制するか等課題が多い。接合界面の特性を制御・改善する手段としてWTe₂への電界効果に着目し、いくつかジオメトリの異なるゲート付きデバイスを試作し、それらの低温輸送特性を評価した。