[23p-B203-1~13] 17.3 Layered materials

[23p-B203-10] Electronic states of atomic-layer MoTe₂ thin film studied by
micro ARPES

〇Katsuaki Sugawara^1,2,3, Yasuaki Saruta¹, Hirofumi Oka¹, Tappei Kawakami¹, Takemi Kato¹, Kosuke Nakayama^1,3, Seigo Souma^2,4, Miho Kitamura⁵, Koji Horiba⁶, Hiroshi Kumigashira⁷, Takashi Takahashi¹, Tomoteru Fukumura^1,4, Takafumi Sato^1,2,4,8 (1.Grad. Sch. Sci., Tohoku Univ., 2.WPI-AIMR, Tohoku Univ., 3.JST-PRESTO, 4.CSIS, Tohoku Univ., 5.KEK-IMSS-PF, 6.QST, 7.IMRAM, Tohoku Univ., 8.SRIS, Tohoku Univ.)

Keywords:MBE, u-ARPES, TMDs

遷移金属ダイカルコゲナイドMoTe_2_は、三角プリズム型構造(1H相)と歪んだ正八面体型構造(1T’相)の2種類の結晶構造を有することが知られており、これらを原子層化した際の次元性の変化に伴う新奇物性が期待されている。今回我々は、MBE法により成長条件を精密制御したMoTe_2_原子層薄膜を作製し、高分解能ARPESによる電子状態観測を行った。講演では、1H/1T’相では予言されない特異な電子状態について報告し、その起源について議論する。