[23p-B203-1~13] 17.3 Layered materials

[23p-B203-5] Twist-angle dependence of resonant tunneling between quantized subbands in 4-layer WSe₂

〇Kei Kinoshita¹, Rai Moriya¹, Shota Okazaki², Yijin Zhang¹, Satoru Masubuchi¹, Kenji Watanabe³, Takashi Taniguchi^3,1, Takao Sasagawa², Tomoki Machida^1,4 (1.IIS Univ. Tokyo, 2.MSL Tokyo Tech., 3.NIMS, 4.CREST-JST)

Keywords:resonant tunneling, TMD, twist

本研究では、4層WSe₂/数層h-BN/4層WSe₂のトンネル接合で、WSe₂間のツイスト角度が0・30・60度のデバイスのI-V特性を比較した。
WSe₂にホールを蓄積させてI-V特性を測定すると複数の共鳴トンネルピークが現れ、ピーク位置にツイスト角度依存性は無かった。一方、WSe₂に電子を蓄積させた場合、ツイスト角度によって共鳴ピークの位置は大きく異なっていた。これは、電子側のサブバンドがQ点（Γ点とK点の間）にあることに起因すると考えられる。