[23p-B204-1~9] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

△ [23p-B204-1] GaN HEMTの過渡温度特性解析

〇伊東 俊祐¹、谷口 悠高¹、田中 敦之²、須賀 唯知³、分島 彰男¹ (1.名工大、2.名大、3.明星大)

キーワード：半導体、窒化ガリウム

移動体基地局用GaN増幅器は、瞬間的に消費電力が大きく変化する。消費電力の大きい変化に伴い、GaN トランジスタの温度も大きく変化する。我々は、高速に変化するパルス電力消費に対する過渡温度変化特性を解析した。10 kHzの電力変化には温度変化が追い付かず、電力全体の平均値に対する温度（定常値）からの変化が小さいことが分かった。