[23p-B204-1~9] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

△ [23p-B204-4] GaNのバンド構造に歪みが与える影響の強束縛近似法に基づく解析

〇宮崎 航¹、田中 一¹、森 伸也¹ (1.阪大院工)

キーワード：半導体、GaN