[23p-B204-1~9] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[23p-B204-9] n型GaN基板・エピタキシャル薄膜の室温フォトルミネッセンス寿命

〇秩父 重英¹、嶋 紘平¹、小島 一信¹、上殿 明良²、石橋 章司³、渡邉 浩崇⁴、田中 敦之⁴、本田 善央⁴、今西 正幸⁵、森 勇介⁵、生田目 俊秀⁶、色川 芳宏⁶、天野 浩⁴、小出 康夫⁶ (1.東北大多元研、2.筑波大数物系、3.産総研CD-FMat、4.名大IMaSS、5.阪大院工、6.物材機構)

キーワード：半導体、GaN power device、ミッドギャップ再結合中心

GaNパワーデバイスには、反りが無く貫通転位(TD)密度も低いモゼイクフリー高品質GaN基板、制御された低キャリア濃度n型エピ層、できればイオン注入によるp, n型セグメント、GaNとの界面まで含め良好な絶縁膜等が挙げられる。GaN基板とドリフト層（n^-型エピ層）は素子の土台であり素子作製プロセス開発以前に再現性良く高品質化を済ませておきたい。本講演では、文科省･省エネルギー社会の実現に資する次世代半導体研究開発（評価基盤領域）においてNIMS小出領域長の下で実施されたGaN基板・エピ層におけるミッドギャップ再結合中心に関する評価の成果を紹介する。