[23p-C101-1~12] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

△ [23p-C101-10] Zn置換によるCuIのホール濃度低下とそのメカニズム

〇辻 昌武¹、飯村 壮史^1,2,3、金 正煥^1,3、細野 秀雄^1,2 (1.東工大　元素戦略研、2.NIMS、3.さきがけ)

キーワード：ヨウ化銅、キャリアドーピング、点欠陥

ヨウ化銅(CuI)は優れたキャリア移動度を持つ有望なp型透明半導体である。しかし、合成されたCuIは正孔濃度が高く、TFTのチャネル層や有機ELのホール輸送層への応用を阻んできた。我々はZn置換により、正孔濃度を10^14–16cm⁻³に低減できることを見出した。その機構はZn^2＋のCu^＋の置換による電子生成によるものではなく、Zn_Cu–V_Cuという複合欠陥が生成し、それに伴うVcuの生成エネルギーの増大による正孔濃度の低減が主因であることを明らかにした。