[23p-C101-1~12] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[23p-C101-11] 高い正孔移動度を持つゲルマナン薄膜の輸送特性

〇(M2)小林 大輝¹、片山 裕美子¹、安武 裕輔¹、深津 晋¹、上野 和紀¹ (1.東大院総合)

キーワード：半導体、層状物質、ゲルマナン

ゲルマナン(GeH)はGe ハニカムシートの上下を水素で終端した構造を持つ直接遷移半導体である。ゲルマナンは理論計算では電子移動度が18,000 cm²/Vs に達すると予測され、大気中で安定であることから光デバイスや電子デバイスへの応用が期待されている。本研究では、従来のTi に変わる接触抵抗の小さい電極材料を用いることでより低温での測定を行い、Ge(111)基板上GeH 薄膜で高い正孔移動度が得られたので報告する。