[23p-C101-1~12] 13.2 Exploratory Materials, Physical Properties, Devices

△ [23p-C101-12] Evaluation of impurity doped GaAsN using X-ray reciprocal lattice mapping

〇Ko Inoue¹, Takumasa Tsunoda¹, Takashi Tsukasaki¹, Miki Fujita², Toshiki Makimoto¹ (1.Waseda Univ., 2.NIT, Ichinoseki College)

Keywords:semiconductor

GaAsNを用いたデバイスを作製する際には、不純物ドープGaAsNが必要であるので、その結晶性の評価が必要不可欠である。今回は、逆格子マッピングを用いて不純物ドープGaAsNを評価した結果について報告する。