[23p-C102-1~14] 13.3 Insulator technology

[23p-C102-3] Determination of the charge centroids of electrons and holes trapped in the charge trap layer of MONOS-type nonvolatile memory elements (Ⅲ)

〇Akari Matsumoto¹, Kiyoteru Kobayashi¹ (1.Tokai Univ.)

Keywords:silicon nitride, Integrated circuit, nonvolatile memory

シリコン窒化膜の電荷トラップに捕獲されたキャリヤによってゲート電極に誘起される電荷の密度Q_hi,g用いる方法を提案した。この方法を用いて、MONOS型素子に捕獲されたキャリヤのチャージセントロイドを求めた。