[23p-C206-1~12] 3.5 超高速・高強度レーザー（旧3.6）

[23p-C206-10] コヒーレント光学フォノン生成に対する初期フォノン分布効果の理論計算

〇高木 一旗^1,2、中村 一隆^1,2 (1.東工大フロンティア材料研、2.東工大物質理工)

キーワード：コヒーレントフォノン、フェムト秒パルス

初期フォノン分布を考慮した理論モデルを構築し、コヒーレントフォノン生成に対する影響を理論的に評価した。
これまでは、低温近似として初期状態を電子基底状態における0-フォノン状態であると仮定していたが、低周波数のフォノンなどの場合、高次フォノン状態がコヒーレントフォノン生成に寄与することが予測される。熱平衡にある初期フォノン分布(T=10, 300 K)を定義し、ISRSとIAでのコヒーレントフォノンの時間発展を評価した。