[23p-C301-1~9] 3.6 レーザープロセシング（旧3.7）

[23p-C301-2] フェムト秒レーザー照射によるAlのSiCへの局所フルエンスに依存した拡散

〇亀井 優之¹、山口 誠²、岡田 達也¹、富田 卓朗¹ (1.徳島大理工、2.秋田大理工)

キーワード：フェムト秒レーザー、シリコンカーバイド

本研究ではフェムト秒レーザーの照射フルエンスを変化させた際にSiCとAlの界面でどのような原子拡散がおこるのかを調べた。シリコンカーバイド(SiC)基板上にアルミニウム(Al)と銅(Cu)をそれぞれ50nm、100nmずつ蒸着した。焦点をAlとSiCの界面に合わせて電動ステージにより試料を走査させながらフェムト秒レーザー光をSiC側から照射した。その後、照射部断面にEDS分析を行ったところ、ある特定のフルエンスでAlがSiCへ拡散する様子が観測された。