一般セッション(口頭講演)
13 半導体 » 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション
09:30 〜 09:45
〇(M2)竹内 聡1、大堀 大介1、石田 昌久2、田中 麻美2、遠藤 和彦3、寒川 誠二1,4 (1.東北大流体研、2.長瀬産業、3.産総研、4.東北大AIMR)
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09:45 〜 10:00
〇原田 知季1,2、安良田 裕基1、森田 浩右1、碇 哲雄1、福山 敦彦1 (1.宮崎大、2.学振特別研究員DC)
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10:00 〜 10:15
〇(B)新井 太貴1、工藤 凜太郎1、鈴木 俊明1、吉越 章隆2、丹羽 雅昭1、本橋 光也1 (1.東電大工、2.原子力機構物質科学研究センター)
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10:15 〜 10:30
〇西村 知紀1、中島 隆一1、張 益仁1、内山 晴貴1、長汐 晃輔1 (1.東大院工)
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10:45 〜 11:00
〇(DC)Jooyoung Pyo1、Shun-ichiro Ohmi1 (1.Tokyo Inst. of Technology)
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11:00 〜 11:15
〇Melbert Jeem1、Yuki Takahashi2、Lihua Zhang3、Seiichi Watanabe3 (1.RIES, Hokkaido Univ.、2.Graduate School of Engineering, Hokkaido Univ.、3.Faculty of Engineering, Hokkaido Univ.)
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11:15 〜 11:30
〇岡田 丈1、森 伸也1 (1.阪大院工)
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