一般セッション(口頭講演)
6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス
09:30 〜 09:45
〇(M2)松村 美貴也1、田中 貴久1、内田 建1 (1.東大院工)
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09:45 〜 10:00
〇鈴木 拓1、安達 裕1、大垣 武1、坂口 勲1 (1.物材機構)
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10:00 〜 10:15
〇中村 颯汰1、畠中 林太郎1、清水 智弘1、伊藤 健1、新宮原 正三1 (1.関西大理工学研究科)
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10:15 〜 10:30
〇正岡 直樹1、林 侑介1、藤平 哲也1、酒井 朗1 (1.阪大院基礎工)
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10:45 〜 11:00
〇中村 優斗1,2、西 佑介1 (1.舞鶴工業高等専門学校、2.豊橋技術科学大学)
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11:00 〜 11:15
〇木村 洸希1、野下 知弥2、畠中 林太郎1、清水 智弘1、伊藤 健1、新宮原 正三1 (1.関西大理工学研究科、2.関西大シス理)
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11:15 〜 11:30
〇(M1)黄 川洋1、田中 正和2、畠中 林太郎1、清水 智弘1、伊藤 健1、新宮原 正三1 (1.関西大理工学研究科、2.関大システム理)
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11:30 〜 11:45
〇石原 嘉人1、木下 友起1、Myo Than Htay1、橋本 佳男1 (1.信州大工)
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