[22a-D214-1~7] 9.5 新機能材料・新物性

[22a-D214-5] Ptキャップ付きYbH₂膜のPt除去プロセス及び除去後の膜の光学特性

〇中村 修¹、栗田 満史¹、酒井 政道²、吉住 年弘²、花尻 達郎³ (1.岡山理大、2.埼大院理工、3.東洋大バイオナノセンタ-)

キーワード：半導体、4f電子系、Yb水素化物

Ptキャップ付きYb膜を水素雰囲気下処理により半導体であるYbH₂膜の作製,Ptを簡便な方法で除去して、その光学特性を評価した。その結果バンドギャップは1.46eVであること、遷移タイプが間接半導体やアモルファス半導体と同様であることが判明した。