[22a-D316-1~7] 13.8 Optical properties and light-emitting devices

[22a-D316-1] Photoluminescence properties of doped β-FeSi₂ films

〇Kensuke Akiyama^1,2, Hiroshi Funakubo² (1.Kanagawa Inst. Ind. Sci. Tec., 2.Tokyo Inst. Tec.)

Keywords:iron disilicide semiconductor, photoluminescence, doping

鉄シリサイド半導体(β-FeSi₂)は、1.55μm帯域での発光（フォトルミネッセンス(PL)、エレクトロルミネッセンスが報告され、その実用化には発光効率の向上が求められている。これまでに、我々は有機金属気相成長(MOCVD)法で合成したβ-FeSi₂における、窒素（N）をドーピングしたβ-FeSi₂においてPL 発光強度の増大化、及び290Kまでの発光を報告した。本発表では更にP、及びBドーピングによるPL発光特性への影響を調べ発光強度増大化の機構を調査した。