[22a-D316-1~7] 13.8 光物性・発光デバイス

[22a-D316-1] ドーピングした鉄シリサイド膜のフォトルミネッセンス発光特性

〇秋山 賢輔^1,2、舟窪 浩² (1.神奈川産技総研、2.東工大院・物質理工)

キーワード：鉄シリサイド半導体、フォトルミネッセンス、ドーピング

鉄シリサイド半導体(β-FeSi₂)は、1.55μm帯域での発光（フォトルミネッセンス(PL)、エレクトロルミネッセンスが報告され、その実用化には発光効率の向上が求められている。これまでに、我々は有機金属気相成長(MOCVD)法で合成したβ-FeSi₂における、窒素（N）をドーピングしたβ-FeSi₂においてPL 発光強度の増大化、及び290Kまでの発光を報告した。本発表では更にP、及びBドーピングによるPL発光特性への影響を調べ発光強度増大化の機構を調査した。