[22a-E102-1~8] FS.1 Focused Session "AI Electronics"

[22a-E102-8] Quantized conductance in a NiO-based ReRAM and its mechanism

〇(B)Riku Takagi¹, Tsuyoshi Hasegawa¹ (1.Waseda Univ.)

Keywords:ReRAM, quantized conductance

近年、抵抗変化型メモリReRAMは次世代の不揮発性メモリとして大きな注目を集めている。今回磁性材料であるNiを含むNiOを用いたReRAMを作製した。電圧掃引によってメムリスター動作とその膜厚依存性が観測された。またコンダクタンスの量子化も観測され、磁場を印加するとコンダクタンスの量子化単位が変化することが確認された。