[22a-E102-1~8] FS.1 フォーカストセッション「AIエレクトロニクス」

[22a-E102-8] NiOを用いた抵抗変化型メモリが示す量子化コンダクタンスとその発現メカニズム

〇(B)高木 陸¹、長谷川 剛¹ (1.早大先進理工)

キーワード：抵抗変化型メモリ、量子化コンダクタンス

近年、抵抗変化型メモリReRAMは次世代の不揮発性メモリとして大きな注目を集めている。今回磁性材料であるNiを含むNiOを用いたReRAMを作製した。電圧掃引によってメムリスター動作とその膜厚依存性が観測された。またコンダクタンスの量子化も観測され、磁場を印加するとコンダクタンスの量子化単位が変化することが確認された。