[22a-E105-1~7] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[22a-E105-2] 重金属汚染させたSiの光ヘテロダイン光熱変位法による非発光再結合中心マッピング

〇原田 知季^1,2、安良田 裕基¹、森田 浩右¹、碇 哲雄¹、福山 敦彦¹ (1.宮崎大、2.学振特別研究員DC)

キーワード：半導体、光熱変換法、欠陥検査

非発光再結合中心の分布を観測するため、干渉計により熱膨張変位を観測する光ヘテロダイン光熱変位法を開発した。XYステージの制御によりマッピング測定が可能である。本報告ではSi基板上に三角形の鉄板を置き、アニールして重金属汚染させたSiを測定した。三角形の模様を変位量の差として観測でき、その大きさと位置が鉄板を置いた位置と一致したため光ヘテロダイン光熱変位法は高感度に再結合中心の分布を観測できることがわかった。