[22a-E105-1~7] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

△ [22a-E105-3] 極低濃度HF水溶液を用いたSi酸化膜の作製

〇(B)新井 太貴¹、工藤 凜太郎¹、鈴木 俊明¹、吉越 章隆²、丹羽 雅昭¹、本橋 光也¹ (1.東電大工、2.原子力機構物質科学研究センター)

キーワード：Si酸化膜、陽極酸化、Si-O結合

Si 酸化膜はp 形および n 形の単結晶 Si 基板表面を極低濃度 HF 水溶液を用いて陽極酸化することにより作製した。作製された Si 酸化膜の原子結合状態は X 線光電子分光分析装置を用いて評価した。陽極酸化法で作製した Si 酸化膜表面の XPS スペクトル(Si2p)中 SiOx のピークは、陽極酸化した酸化膜の場合 p 形および n 形ともに自然酸化膜のものより高エネルギー側にシフトすることがわかった。さらに，XPSスペクトルの深さ分析を行った。その結果，陽極酸化膜表面にみられるSiOx のピーク位置が，表面から深さ方向に向かって高エネルギー側にシフトしており、原子結合状態が膜の厚さ方向に変化していることがわかった。