[22a-E202-1~7] 15.4 III-V族窒化物結晶

[22a-E202-2] ハイドライド気相成長法による半極性{20-21} GaN基板の作製と歪と偏光特性の調査

〇谷川 俊介¹、美作 龍星¹、岡田 成仁¹、Song Jie²、Han Jung²、倉井 聡¹、山田 陽一¹、只友 一行¹ (1.山口大院、2.エール大)

キーワード：半極性、ハイドライド気相成長法、歪