[22a-E202-1~7] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [22a-E202-3] OVPE法による高速厚膜GaN結晶成長

〇宇佐美 茂佳¹、清水 歩¹、今西 正幸¹、滝野 淳一²、隅 智亮²、岡山 芳央²、丸山 美帆子¹、吉村 政志³、秦 雅彦⁴、伊勢村 雅士⁵、森 勇介¹ (1.阪大院工、2.パナソニック(株)、3.阪大レーザー研、4.伊藤忠プラスチックス(株)、5.(株)創晶應心)

キーワード：OVPE法、高速成長、熱力学計算

Ga2OをGa源として用いるOVPE法では高Ga2O分圧下で多結晶を生じやすく、高速成長レートでの厚膜を得られない課題があった。そこで、本研究では熱力学計算により多結晶を抑制しつつ高速成長可能な領域を推定したところ、NH3分圧を減少させ、Ga2O分圧を上昇させた超低核生成頻度領域において解決可能であることが示唆された。示された条件を実機に適用したところ、200um/hの高速成長条件にて800um超の厚膜をほぼ多結晶フリーで成長することに成功した。