[22a-E203-1~11] 17.3 層状物質

[22a-E203-3] 4層WSe₂の伝導帯サブバンドを利用した共鳴トンネル効果

〇木下 圭¹、守谷 頼¹、岡崎 尚太²、張 奕勁¹、増渕 覚¹、渡邊 賢司³、谷口 尚^3,1、笹川 崇男²、町田 友樹^1,4 (1.東大生研、2.東工大フロンティア研、3.物材機構、4.CREST-JST)

キーワード：TMD、共鳴トンネル、サブバンド

4層WSe₂ /トンネルバリアh-BN / 4層WSe₂デバイスにおいて、WSe₂の伝導帯サブバンド間の共鳴トンネル効果を観測した。伝導帯サブバンドはQ点（Γ点とK点の中間）に位置するため、トンネル前後のキャリアの波数を揃えるためにTear-and-stack法により両WSe₂をアラインさせて積層した。また、WSe₂へのn型電極としてグラフェンを用いた。温度2 KのI -V特性においてWSe₂サブバンド間での複数の共鳴ピークを観測した。また、負性微分抵抗は室温まで観測できた。