[22a-E203-1~11] 17.3 Layered materials

[22a-E203-8] Determination of band gap value and photoresponse mechanism of bulk PdSe₂ by photocurrent measurements

〇Wataru Nishiyama¹, Tomonori Nishimura¹, Masao Nishioka¹, Keiji Ueno², Satoshi Iwamoto¹, Kosuke Nagashio¹ (1.Univ. Tokyo, 2.Saitama Univ.)

Keywords:PdSe2, noble metal dichalcogenide

狭ギャップ半導体とされてきたバルクPdSe₂において，桁の異なる複数のバンドギャップ値が報告されている．我々がこれまでに電気伝導特性から得たバンドギャップ値を，FTIRを用いた光電流スペクトル計測から追評価し，さらに光電流マッピングと高速電流計測から光応答機構の考察を行った．